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AET企业院士工作站

 

 

AET阿尔泰聚焦前沿技术研发,以AET企业院士工作站为主引擎,下设发光材料研究室IC研究室封装研究室标准研究室,进行多个行业领先的项目研发工作,建立起从材料、驱动、封装,到应用端的完整产业链支撑。

 

(一)氮化镓直接发红光项目
AET阿尔泰与材料科学姑苏实验室合作研发“面向下一代全彩显示的氮化物红光Micro-LED”,这个合作项目在材料科学姑苏实验室的首批29个合作申报项目中,综合评审位居第一。
项目主要针对Micro-LED光电性能不足、材料体系不匹配、红光LED发光效率差的行业痛点,希望通过氮化镓直接发红光,替代第二代半导体砷化镓红光材料,优化Mini/Micro-LED元器件制备及转移工艺,实现高效红光Mini/Micro-LED。

 

(二)量子点全彩Mini-LED芯片项目
量子点是一种新一代发光材料,与传统发光材料相比,它具有高色纯度和光稳定性,可以通过针对每种粒径产生不同长度的光波长而不改变类型来产生各种颜色的材料,即实现“色转换”。
AET阿尔泰量子点全彩Mini-LED芯片项目,聚焦高效能量子点光致发光的技术路线,旨在发挥新材料的优势,进一步降低发光材料成本,提高光学规格,加速Mini/Micro-LED商用、民用进程。

 

(三)3D纳米柱芯片项目
AET阿尔泰与法国知名的半导体研究所合作研发2D及3D Micro LED芯片,该机构是全球第一家在12英寸硅衬底上开发出Micro-LED的研究所,曾获得法国工业项目公司基金的以及英特尔资本的战略投资,具有世界级制造能力,也是全球唯一采用纳米晶体技术开发Micro-LED显示的机构。
项目瞄准下一代显示技术,聚焦在硅衬底的氮化镓3D纳米柱技术路线,变革驱动方式,成为真正的合成AM驱动。在AM驱动方式下,发挥新材料的优势,进一步增大像素密度到0.2X以下(120ppi以上),为小显示器做技术储备。可以实现点对点的精准控制,且亮度均匀,显示更柔和,观看更舒适,优化显示效果。

 

(四)基于范德华外延—剥离转印的半导体器件制作新方法
AET阿尔泰与北京大学、清华大学等院校共同开展的“新一代发光器件的应用研究”——《基于范德华外延—剥离转印的半导体器件制作新方法》,已通过科技部高技术研究发展中心立项评审,正式列入国家重点研发计划“变革性技术关键科学问题”重点专项,成为全国三十项国家重点研发计划之一,且是一项属于显示材料领域的研发专项。
项目突破现有衬底对宽禁带和超宽禁带半导体器件性能的限制,实现不依赖外延关系的衬底选择,革新蓝绿光Micro-LED、大功率射频器件和日盲紫外探测器等半导体器件制作技术,为新一代电子信息系统的发展奠定科学基础。

 

(五)面向下一代LED直显的标准化控制架构
微间距显示时代,企业未来的发展思路向产业链的两端探索,一方面向产业链前端的材料和技术研发,要进一步突破技术和工艺难点,另一方面向下游,也要市场解决行业标准的问题,对此,AET阿尔泰一直有着十分清醒的认识,并将二者的同步解决贯彻始终。
AET阿尔泰聚焦行业痛点,推动LED显示产业标准化、规范化。作为行业内首推Mini/Micro LED标准化架构并实现标准化架构产品量产的品牌,AET阿尔泰将科研技术、市场实践转换为标准成果,推动Mini/Micro LED技术和产品发展,引领行业变革。

 

(六)先进封装研究
Mini/Micro LED时代,对封装器件的要求越来越微缩化。先进封装技术在有效提升芯片功能、提升显示效果及用眼健康上占据优势。例如,采用先进的多层板上纳米覆膜技术,能够把在封装中的间距尺寸降到P1.0以下。因此,采用先进封装技术,芯片中的特征尺寸差别能够缩小很多,相互间连接的电阻、连线长度的功耗也会随之下降,可以达到联合优化的效果,从而有效提升芯片性能。
AET阿尔泰拥有前沿封装技术:AOB板上混合封装技术、BOB多层板上覆膜封装技术等。采用高强度复合材料以及特殊的封装工艺,对常规小微间距产品做了全面的防护处理,不仅解决LED显示屏极易撞灯、极易积灰的问题,同时对用户的视觉健康做了有效保护,在面光源、广色域、超大可视角度、高平整度、超薄封装、完美拼接、高效节能等方面优势明显。