AET企业院士工作站

Mini/Micro LED标准化

尖端科研合作

AET企业院士工作站

 

 

AET阿尔泰聚焦前沿技术研发,以AET企业院士工作站为主引擎,下设发光材料研究室IC研究室封装研究室标准研究室,进行多个行业领先的项目研发工作,建立起从材料、驱动、封装,到应用端的完整产业链支撑。

 

(一)氮化镓直接发红光项目
AET阿尔泰与北京大学等高校合作研发“面向下一代全彩显示的氮化物红光Micro-LED”。
项目主要针对Micro-LED光电性能不足、材料体系不匹配、红光LED发光效率差的行业痛点,希望通过氮化镓直接发红光,替代第二代半导体砷化镓红光材料,优化Mini/Micro-LED元器件制备及转移工艺,实现高效红光Mini/Micro-LED。目前,通过氮化镓直接发红光,已经实现了外量子效率为7.36%、波长为629 nm的InGaN基红光Mini-LED,推动基于氮化物Micro-LED技术的新型显示产业发展。

 

(二)3D纳米柱芯片项目
AET阿尔泰与法国知名的半导体研究所合作研发2D及3D Micro LED芯片,该机构是全球第一家在12英寸硅衬底上开发出Micro-LED的研究所,曾获得法国工业项目公司基金的以及英特尔资本的战略投资,具有世界级制造能力,也是全球唯一采用纳米晶体技术开发Micro-LED显示的机构。
项目瞄准下一代显示技术,聚焦在硅衬底的氮化镓3D纳米柱技术路线,变革驱动方式,成为真正的合成AM驱动。在AM驱动方式下,发挥新材料的优势,进一步增大像素密度到0.2X以下(120ppi以上),为小显示器做技术储备。可以实现点对点的精准控制,且亮度均匀,显示更柔和,观看更舒适,优化显示效果。

 

(三)基于范德华外延—剥离转印的半导体器件制作新方法
AET阿尔泰与北京大学、清华大学等院校共同开展的“新一代发光器件的应用研究”——《基于范德华外延—剥离转印的半导体器件制作新方法》,已通过科技部高技术研究发展中心立项评审,正式列入国家重点研发计划“变革性技术关键科学问题”重点专项,成为全国三十项国家重点研发计划之一,且是一项属于显示材料领域的研发专项。
项目突破现有衬底对宽禁带和超宽禁带半导体器件性能的限制,实现不依赖外延关系的衬底选择,革新蓝绿光Micro-LED、大功率射频器件和日盲紫外探测器等半导体器件制作技术,为新一代电子信息系统的发展奠定科学基础。

 

(四)面向下一代LED直显的标准化控制架构
微间距显示时代,企业未来的发展思路向产业链的两端探索,一方面向产业链前端的材料和技术研发,要进一步突破技术和工艺难点,另一方面向下游,也要市场解决行业标准的问题,对此,AET阿尔泰一直有着十分清醒的认识,并将二者的同步解决贯彻始终。
AET阿尔泰聚焦行业痛点,推动LED显示产业标准化、规范化。作为行业内首推Mini/Micro LED标准化架构并实现标准化架构产品量产的品牌,AET阿尔泰将科研技术、市场实践转换为标准成果,推动Mini/Micro LED技术和产品发展,引领行业变革。

 

(五)先进封装研究
Mini/Micro LED时代,对封装器件的要求越来越微缩化。先进封装技术在有效提升芯片功能、提升显示效果及用眼健康上占据优势。例如,采用先进的多层板上纳米覆膜技术,能够把在封装中的间距尺寸降到P1.0以下。因此,采用先进封装技术,芯片中的特征尺寸差别能够缩小很多,相互间连接的电阻、连线长度的功耗也会随之下降,可以达到联合优化的效果,从而有效提升芯片性能。
AET阿尔泰拥有前沿封装技术:AOB板上混合封装技术、BOB多层板上覆膜封装技术等。采用高强度复合材料以及特殊的封装工艺,对常规小微间距产品做了全面的防护处理,不仅解决LED显示屏极易撞灯、极易积灰的问题,同时对用户的视觉健康做了有效保护,在面光源、广色域、超大可视角度、高平整度、超薄封装、完美拼接、高效节能等方面优势明显。