AET企业院士工作站
Mini/Micro LED标准化
尖端科研合作
AET企业院士工作站
AET阿尔泰聚焦前沿技术研发，以AET企业院士工作站为主引擎，下设发光材料研究室、IC研究室、封装研究室、标准研究室，进行多个行业领先的项目研发工作，建立起从材料、驱动、封装，到应用端的完整产业链支撑。
（一）氮化镓直接发红光项目
AET阿尔泰与北京大学等高校合作研发“面向下一代全彩显示的氮化物红光Micro-LED”。
项目主要针对Micro-LED光电性能不足、材料体系不匹配、红光LED发光效率差的行业痛点，希望通过氮化镓直接发红光，替代第二代半导体砷化镓红光材料，优化Mini/Micro-LED元器件制备及转移工艺，实现高效红光Mini/Micro-LED。目前，通过氮化镓直接发红光，已经实现了外量子效率为7.36%、波长为629 nm的InGaN基红光Mini-LED，推动基于氮化物Micro-LED技术的新型显示产业发展。
（二）3D纳米柱芯片项目
AET阿尔泰与法国知名的半导体研究所合作研发2D及3D Micro LED芯片，该机构是全球第一家在12英寸硅衬底上开发出Micro-LED的研究所，曾获得法国工业项目公司基金的以及英特尔资本的战略投资，具有世界级制造能力，也是全球唯一采用纳米晶体技术开发Micro-LED显示的机构。
项目瞄准下一代显示技术，聚焦在硅衬底的氮化镓3D纳米柱技术路线，变革驱动方式，成为真正的合成AM驱动。在AM驱动方式下，发挥新材料的优势，进一步增大像素密度到0.2X以下（120ppi以上），为小显示器做技术储备。可以实现点对点的精准控制，且亮度均匀，显示更柔和，观看更舒适，优化显示效果。
（三）基于范德华外延—剥离转印的半导体器件制作新方法
AET阿尔泰与北京大学、清华大学等院校共同开展的“新一代发光器件的应用研究”——《基于范德华外延—剥离转印的半导体器件制作新方法》，已通过科技部高技术研究发展中心立项评审，正式列入国家重点研发计划“变革性技术关键科学问题”重点专项，成为全国三十项国家重点研发计划之一，且是一项属于显示材料领域的研发专项。
项目突破现有衬底对宽禁带和超宽禁带半导体器件性能的限制，实现不依赖外延关系的衬底选择，革新蓝绿光Micro-LED、大功率射频器件和日盲紫外探测器等半导体器件制作技术，为新一代电子信息系统的发展奠定科学基础。
（四）面向下一代LED直显的标准化控制架构
微间距显示时代，企业未来的发展思路向产业链的两端探索，一方面向产业链前端的材料和技术研发，要进一步突破技术和工艺难点，另一方面向下游，也要市场解决行业标准的问题，对此，AET阿尔泰一直有着十分清醒的认识，并将二者的同步解决贯彻始终。
AET阿尔泰聚焦行业痛点，推动LED显示产业标准化、规范化。作为行业内首推Mini/Micro LED标准化架构并实现标准化架构产品量产的品牌，AET阿尔泰将科研技术、市场实践转换为标准成果，推动Mini/Micro LED技术和产品发展，引领行业变革。
（五）先进封装研究
Mini/Micro LED时代，对封装器件的要求越来越微缩化。先进封装技术在有效提升芯片功能、提升显示效果及用眼健康上占据优势。例如，采用先进的多层板上纳米覆膜技术，能够把在封装中的间距尺寸降到P1.0以下。因此，采用先进封装技术，芯片中的特征尺寸差别能够缩小很多，相互间连接的电阻、连线长度的功耗也会随之下降，可以达到联合优化的效果，从而有效提升芯片性能。
AET阿尔泰拥有前沿封装技术：AOB板上混合封装技术、BOB多层板上覆膜封装技术等。采用高强度复合材料以及特殊的封装工艺，对常规小微间距产品做了全面的防护处理，不仅解决LED显示屏极易撞灯、极易积灰的问题，同时对用户的视觉健康做了有效保护，在面光源、广色域、超大可视角度、高平整度、超薄封装、完美拼接、高效节能等方面优势明显。
